林 豊 | 住友金属会社:引張試験グループ
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概要
関連著者
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林 豊
住友金属会社:引張試験グループ
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林 豊
電総研
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林 豊
電子技術総合研究所電子デバイス部
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関川 敏弘
電子技術総合研究所
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石井 賢一
電総研
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関川 敏弘
電総研
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林 豊
電子技術総合研究所
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関川 敏弘
電子技術総合研究所電子デバイス部
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宮内 邦雄
理化学研究所
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吉田 清太
理化学研究所
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矢能 彰
理化学研究所
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錦織 勝三
富士製鉄会社
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津山 義人
八幡製鉄会社
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吉田 和夫
川崎製鉄会社
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布施 敏夫
理化学研究所
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阿部 邦雄
理化学研究所
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福井 伸二
理化学研究所
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福井 伸二
東京大学宇宙航空研究所
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錦織 勝三
富士製鉄会社:引張試験グループ
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矢能 彰
理研
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布施 敏夫
理化学研究所:引張試験グループ
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津山 義人
八幡製鉄会社:引張試験グループ
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阿部 邦雄
塑性学・塑性加工用語調査分科会:職業訓練大学校
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高遠 秀尚
電総研
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吉田 和夫
川崎製鉄会社:引張試験グループ
著作論文
- 薄鋼板引張試験片の形状および寸法効果について
- 透明導電膜/絶縁膜/半導体構造の低界面準位化 (太陽電池-4-)
- 薄膜結晶シリコン太陽電池の最適設計 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
- ボロンナイトライドによるボロンのシリコンへの拡散-1- (半導体デバイス特集-6-)
- 2重ゲート構造によるMOSトランジスタの短チャネル化
- 半導体デバイスとその動向
- 固体素子コンファレンス(第2回国際会議)におけるIC関係の講演
- デバイスの極限寸法化とその特性 (電子工学における微細加工技術とその応用)
- 絶縁ゲ-ト雪崩トランジスタIGAT (半導体デバイス特集-6-)
- DSA-MOSトランジスタの静特性