梅田 英和 | パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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概要
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター | 論文
- 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製