Sickmoeller M | Univ. Ulm Ulm Deu

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概要

• 同名の論文著者
• Univ. Ulm Ulm Deuの論文著者

Univ. Ulm Ulm Deu | 論文

• ダイヤモンドMESFETの高周波特性
• Properties of (111) Diamond Homoepitaxial Layer and Its Application to Field-Effect Transistor
• ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

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