村井 直樹 | 阪大院理
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概要
関連著者
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永崎 洋
産総研
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田島 節子
阪大院理
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石田 茂之
東大院理
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内田 慎一
東大院理
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石田 茂之
産総研
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石角 元志
原子力機構:産総研:jst Trip
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増井 孝彦
阪大院理
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石角 元志
東大院理
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石田 茂之
東大理:産総研:jst-trip
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村井 直樹
阪大院理
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石角 元志
総合科学研究機構:産総研:JST-TRIP
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石田 茂之
産総研:東大院理
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石角 元志
総合科学研究機構:原子力機構:JST,TRIP
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内田 慎一
東大理
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永崎 洋
JST-TRIP
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石田 茂之
産総研:東大理
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内田 慎一
東大理:jst-trip
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内田 愼一
東大新領域
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内田 偵一
東大工
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氷崎 洋
Stanford大
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内田 偵一
東大理
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石田 茂之
JST-TRIP:東大理:産総研
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永崎 洋
産業技術総合研究所:JST-TRIP
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石角 元志
東大院理:総合科学研究機構
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石田 茂之
東大院理:産総研
著作論文
- 24pGM-1 面外乱れを導入したBi2212の超伝導電子ラマン散乱(24pGM 銅酸化物(超伝導・電子状態),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aGB-2 CuO_2面外乱れを制御したBi_2Sr_2Ca_Y_xCu_2O_(x=0,0.08)の電子ラマン散乱(21aGB 高温超伝導2(スペクトロスコピー),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))