田原 修一 | 日本電気(株)システムデバイス研究所
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概要
日本電気(株)システムデバイス研究所 | 論文
- 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- 512KbクロスポイントセルMRAM(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 24pYQ-9 ナノスケール磁性体の磁気特性における温度依存性
- Ferroelectric Memory Circuit Technology and the Application to Contactless IC Card(Special Issue on Advanced Memory Devices Using High-ε and Ferroelectric Films)