Schuster J | ウィーン大学物理化研究所

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概要

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• ウィーン大学物理化研究所の論文著者

ウィーン大学物理化研究所 | 論文

• SiC/Cr界面における反応相の成長挙動
• Ti箔による炭化ケイ素セラミックスの拡散接合
• SiC/Ta/SiC接合体の界面反応と強度
• SiC/Ti接合界面の構造と強度
• Cu-Si-Ti合金の窒化ケイ素に対する濡れ性と接合性

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