Hashizume Tamotsu | Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
スポンサーリンク
概要
- HASHIZUME Tamotsuの詳細を見る
- 同名の論文著者
- Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science & の論文著者
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science & | 論文
- GaNおよびAlGaNの深い電子準位 : 電気的評価結果を中心として(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)