村松 諭 | Nec Ulsiデバイス開研

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概要

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Nec Ulsiデバイス開研 | 論文

• L帯100W高電圧動作FP-HFET
• 20GHz帯高出力ヘテロ接合FETの開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
• C-10-12 W-CDMA基地局用高効率150W HJFET
• 移動体基地局用200W GaAs HFET
• C-2-31 C帯60W AlGaAs/GaAs HFET電力増幅器

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