中村 正明 | 東工大院理工
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概要
関連著者
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中村 正明
東工大院理工
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中村 正明
東工大理
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中村 正明
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汪 正元
東工大院理工
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平澤 梨良
東工大理工:東大物性研
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笠 真生
カリフォルニア大学バークレー校
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伊藤 一仁
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平澤 梨良
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奥西 巧一
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坂井 徹
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青沼 徹
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青沼 徹
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井村 健一郎
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高吉 慎太郎
東大物性研
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中谷 知久
東理大理
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中村 正明
Max-Planck-Institut fur Physik komplexer Systeme
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Dora Balazs
Max-Planck-Institut fur Physik komplexer Systeme
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Castro Eduardo
CFP and Departamento de Fisica, Univ. ersidade do Porto
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菊池 宗久
東北大理
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Castro Eduardo
Cfp And Departamento De Fisica Univ. Ersidade Do Porto
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Bergholtz Emil
マックスプランク研
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Dola Balazs
Department of Physics, Budapest University of Technology and Economics
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Dola Balazs
Department Of Physics Budapest University Of Technology And Economics
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古谷 峻介
ジュネーブ大
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駒倉 遼
東工大院理工
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古谷 峻介
ジュネーブ大学
著作論文
- 20aHV-10 分数量子ホール効果の場の理論による一次元定式化(20aHV 量子細線・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aRB-9 カゴメ格子上のフェルミ粒子系における電荷秩序(30aRB TTF関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aXN-14 カゴメ格子上の拡張Hubbard及び軌道縮退Heisenberg模型における厳密なプラケット基底状態(フラストレーション系(スピネル・パイロクロア・スピンチューブ),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 14aPS-16 カゴメおよびパイロクロア格子上の拡張ハバード模型における厳密基底状態(ポスターセッション, 領域 11)
- 30aRB-8 2次元有機導体β-(DMeET)_2PF_6における電荷秩序と超伝導(30aRB TTF関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pWH-10 多層グラフェンにおける光学伝導度(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 12aTF-9 Laser probing of single-particle energy gap of a Bose gas in an optical lattice in the Mott insulator phase
- 27pYH-11 Anomalous quantum Hall steps in biased bilayer graphene
- 24aWB-6 多層グラフェンにおける電気伝導とホール効果(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aTH-7 多層グラフェンにおける軌道磁性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20aRA-4 ゼロギャップ系α-(BEDT-TTF)_2I_3における軌道磁性とホール効果(ゼロギャップ系・回折・N-I転移,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19aPS-138 M_3H(XO_4)_2系におけるプロトン配列(19aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 14pWG-6 擬一次元 S=1 スピンラダー BIP-TENO の磁化プラトー(量子スピン系 : 一次元及び二次元, 領域 3)
- 13pWG-1 新しい秩序パラメータ「ひねり演算子」によるスピン系の量子相転移の解析(領域 3)
- 13pWG-1 新しい秩序パラメータ「ひねり演算子」によるスピン系の量子相転移の解析(領域 11)
- 25aTF-3 分数量子ホール系の一次元定式化とその検証(25aTF 量子スピン系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25aTF-4 分数量子ホール系のスピン鎖表現(25aTF 量子スピン系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25aHD-4 多層グラフェンにおける層間電気伝導(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pGT-7 分数量子ホール系とスピン鎖の対応関係(22pGT 電子系・冷却原子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 22aTL-3 多層グラフェンにおける層間電気伝導度(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pBG-4 トーラス上のν=1/q分数量子ホール系に対応する厳密基底状態(27pBG 電子系(量子ホール効果・トポロジカル絶縁体・ディラック電子系など),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25aSB-12 多層グラフェンの層間交流伝導度(25aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(磁場効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18aAD-3 トーラス上のLaughlin状態を記述する1次元模型の厳密基底状態と励起状態(18aAD 電子系1,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 26pXM-5 分数量子ホール状態の行列積表示(26pXM 電子系2,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 28pXZC-10 3スピン相互作用とボンド交代のあるS=1量子スピン鎖における量子相転移(28pXZC 量子スピン系・ボゾン系1,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))