西村 知紀 | 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
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概要
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest | 論文
- Ge/GeO_2界面反応の理解に基づいたGeO_2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上
- GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Ge-CMOSに向けた界面の制御と課題
- Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))