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飯川 裕文 | 大阪府立大学先端科学研究所
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中尾 基
大阪府立大学
中尾 基
大阪府立大学先端科学研究所
泉 勝俊
大阪府立大学先端科学研究所
飯川 裕文
大阪府立大学先端科学研究所
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C-11-7 完全空乏型 MOSFET における SOI 基板表面ラフネス効果の TCAD 解析
^16O^+注入Si基板の分光エリプソによるドーズ量見積り法
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