村井 幸男 | ジャパンエナジー精製技術センター
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概要
ジャパンエナジー精製技術センター | 論文
- RF-MBE法によるGaNバルク単結晶基板上へのホモエピタキシャル成長と多重量子井戸構造の作製 : エピキタシャル成長II
- 高圧溶液成長法によるバルクGaN単結晶の成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- NdGaO_3基板上へのGaNハイドライド気相エピタキシー : バルク成長シンポジウム
- 最近のInPの開発動向(バルク成長分科会特集 : 結晶の完全性を目指して)