Nishida K | Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
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概要
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn | 論文
- MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御(新型不揮発性メモリー)
- サイトエンジニアリングコンセプトを用いたBi_4Ti_3O_12基薄膜特性の設計
- a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
- 強誘電体ナノワイヤ及びナノアイランドの自発分極に関する研究 (平成21年度研究報告)
- ナノ強誘電体の基礎物性 : 現状と将来展望