三成 英樹 | 大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
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概要
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest | 論文
- 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 2010 SISPADレビュー(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)