赤崎 勇 | 松下電器東研

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概要

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• 長谷 亘康

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著作論文

• 4p-L-4 GaPの気相成長(III)
• 3a-A-2 III-V化合物の混晶の物理的性質
• n型GaAsの赤外吸収 : 半導体(光学特性)
• 自由電子の赤外吸収 : イオン結晶・光物性シンポジウム : Electromagnetic Dispersion in Solids
• GaAsのetchingと光像(II) : 格子欠陥

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