赤崎 勇 | 松下東研
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概要
関連著者
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赤崎 勇
松下東研
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原 徹
松下東研
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小林 敬幸
松下東研
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橋本 雅文
豊田中研
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橋本 雅文
松下東研
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赤崎 勇
松下電器東研
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赤崎 勇
名城大学理工学部
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赤崎 勇
松下技研株式会社
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小林 敬幸
松下電器東研
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大貫 正実
松下東京研
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大貫 正実
松下電器東京研
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長谷 亘康
松下電器東京研
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浅尾 一郎
松下東研
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原 徹
松下電器東研
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長谷 亘康
松下東京研
著作論文
- 2)GaP発光ダイオードとその応用(第11回 固体画像変換装置研究委員会)
- 1)GaP発光ダイオードとその応用(第17回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- 15a-N-1 AlNの赤外反射
- 12p-K-14 GaAs_Px混晶における電子有効質量
- 3p-C-9 GaAs_P_x混晶の赤外反射
- 3p-TD-4 GaAsの気相エッチング
- p-GaAsにおけるキャリアの散乱機構 : 半導体 (GaAs電気的性質ガン効果)
- 低温におけるn-GaAsの非線形伝導 : 半導体シンポジウム : 低温における III-V 化合物のホット・エレクトロン
- 低温におけるGaAsの非線型伝導 : 半導体(不純物伝導)
- 4p-L-4 GaPの気相成長(III)
- GaPの気相成長(II) : 半導体 : 結晶,表面
- GaASに於ける不純物の問題 : 結晶成長 : 半導体シンポジウム : GaAsを利用した素子とその周辺
- GaAsの製作条件とキャリヤ易動度 : 半導体 : 輸送
- 3a-A-2 III-V化合物の混晶の物理的性質
- n型GaAsの赤外吸収 : 半導体(光学特性)
- 自由電子の赤外吸収 : イオン結晶・光物性シンポジウム : Electromagnetic Dispersion in Solids
- GaAsのetchingと光像(II) : 格子欠陥