安達 和広 | 独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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概要
独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター | 論文
- SiC埋め込みゲートSITのチャネル設計の検討 (第20回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
- 埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の設計・試作及び電気特性評価
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性