出井 数彦 | 長崎大学教育学部
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概要
関連著者
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古野 茂実
原研
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出井 数彦
長崎大学教育学部
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出井 数彦
原研
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大津 仁
原研
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北條 喜一
原研
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北條 喜一
日本原子力研究所
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西田 雄彦
原研
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紀 隆雄
広島電機大
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小野 興太郎
広島大 理
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伊藤 一義
島根大理
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古野 茂実
日本原子力研究所
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大津 仁
日本原子力研究所
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水野 薫
島根大理工
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塚本 哲生
オリジン電気
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小野 興太郎
島根大理
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出井 数彦
長崎大教育
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水野 薫
島根大理
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紀 隆雄
広大理
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紀 隆雄
広島大理
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紀 隆雄
広島大・理
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小野 興太郎
嶋根大理
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水野 薫
嶋根大理
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伊藤 一義
嶋根大理
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神垣 信生
愛媛大・教育
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小野 興太郎
広大理
著作論文
- イオン照射欠陥の"その場"観察
- 透過電子顕微鏡その場観察用二重イオン照射装置
- 25p-H-5 Al中のHeバブルの拡散
- 25p-H-4 Al中のHeバブルの動的挙動のその場観察
- 透過型電子顕微鏡用イオン照射装置(電子顕微鏡内試料イオンビーム処理動的観察記録装置)
- 30p-F-10 アルミニウム中の格子間原子型転位ループ形成における水素の効果
- 5p-A3-1 アルミニウムの電顕内イオン照射損傷
- 5a-YB-1 高エネルギー重イオンによるイオン化過程を経ての損傷形成
- 31p-N-4 高エネルギー重イオンの固体内飛跡の直接視察
- 3p-C-9 Al薄膜結晶のArイオン照射効果
- 4p-M-6 MoS_2 と Ge の高分解結晶構造の観察
- 1p-CE-14 Mo 結晶の電子線照射損傷の結晶方位依存性
- 5p-M-5 電子照射によってGe単結晶中に生じた転位ループのtypeの決定
- 3p-M-6 Ge,Si結晶中の欠陥形成に及ぼす電子channeling効果
- 3p-M-4 高温で電子線照射したシリコン単結晶中の二次欠陥
- 13p-P-1 超高圧電顕内でのゲルマニウム単結晶の電子線照射損傷III
- 5p-KM-5 超高圧電顕内でのゲルマニウム単結晶の電子線照射損傷II
- 24a-L-7 超高圧電顕内でのゲルマニウム単結晶の電子線照射損傷
- EPMAにおけるカーボンの励起函数の実験的決定 : X線・粒子線
- 14p-M-9 電子照射によるX線放出の結晶依存性