Kosuge K | Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
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概要
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn | 論文
- 化合物半導体集積光デバイスとドライエッチング技術
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜における酸化剤効果
- MEMS応用に向けた超臨界流体を用いた金属薄膜形成技術の開発
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜の開発