Mishchenko Andrei | 理研

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概要

• Mishchenko Andrei S.の詳細を見る
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関連著者

• 長谷川 達生

  産総研

• Mishchenko Andrei

  理研

• 松井 弘之

  産総研:東大新領域

• 松井 弘之

  東大院新領域

• 松井 弘之

  産総研

• 松井 弘之

  産総研光技術

• 長谷川 達生

  産総研光技術

• 長谷川 達生

  産業技術総合研究所 光技術研究部門

• 時任 静士

  NHK技研

• Mishchenko Andrei

  理研:rrc Kurchatov Inst.

• 松井 弘之

  東大新領域

• Mishchenko Andrei

  理研:rrc Kurchatov

• 高橋 永次

  産総研光技術:住化分析センター

• 熊木 大介

  山形大・理工学研究科

• 熊木 大介

  山形大工

• 時任 静士

  山形大工

• 瀧宮 和男

  理研

• 時任 静士

  山形大学大学院:山形大学有機エレクトロニクス研究センター

• 熊木 大介

  山形大学大学院:山形大学有機エレクトロニクス研究センター

• 竹谷 純一

  東大新領域

• 松井 弘之

  東大新領域:産総研

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著作論文

• 21pGS-14 低温ESRを用いたペンタセン薄膜トランジスタのトラップ分布解析II(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYD-6 低温ESRを用いたペンタセン薄膜トランジスタのトラップ分布解析(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pTN-5 有機薄膜トランジスタにおける微結晶内-微結晶間キャリヤダイナミクスの分離(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pXP-4 有機トランジスタの浅いトラップ状態の起源 : 絶縁膜表面の双極子乱れモデル(27pXP 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aDF-11 有機半導体/絶縁体界面2次元系における相関ゆらぎの影響(界面デバイス1,領域7(分子性個体・有機導体))

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