小瀬 三郎 | 大阪工業技術試験所
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概要
関連著者
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小瀬 三郎
大阪工業技術試験所
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小瀬 三郎
大工試
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木下 実
大阪工業技術研究所材料物理部
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浜野 義光
大阪工業技術試験所
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香山 正憲
大工試
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山本 良一
東大先端研
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近藤 功
大阪工業技術研究所
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玉利 信幸
大阪工業技術研究所
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田中 隆裕
大阪工業技術研究所
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山本 良一
東大工
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松原 一郎
大阪工業技術研究所
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谷本 一美
大阪工業技術研究所
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児玉 皓雄
大阪工業技術研究所
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関 八千穂
大阪工業技術研究所
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小倉 透
大阪工業技術研究所
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木下 実
大工試
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門田 正胤
大阪工業技術試験所
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古川 満彦
日本タングステン
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是永 定美
電子技術総合研究所
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上野 和夫
大阪工業技術試験所
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後藤 浩二
兵庫県立工業技術センター
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袖岡 賢
大阪工業技術研究所
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岩佐 美喜男
大阪工業技術試験所
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岩佐 美喜男
大阪工業技術研究所材料物理部
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木下 實
大阪工業技術試験所
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岡山 秀人
大阪工業技術試験所
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小林 博之
大阪工業技術試験所
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田倉 和男
日本タングステン(株)開発部
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後藤 浩二
兵庫県立工業技術センター機械金属指導所
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浜野 義光
京都セラミック(株)
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小瀬 三郎
大阪工業機械試験所
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岩佐 美喜男
大阪工業技術研究所
著作論文
- 微細気孔性シリカ多孔体の製造法
- 微細気孔性アルミナ多孔体の製造法
- 3A42 SiC ウイスカ/Si_3N_4 複合材料の機械特性に及ぼす焼結条件の影響 Y_2O_3-Al_2O_3 助剤系
- 5a-Q-2 SiC中の結晶粒界の原子構造と電子構造-Si中粒界との比較
- 5a-Q-1 アルミナ/遷移金属界面の電子構造計算
- 28a-ZN-3 化合物半導体中の粒界の極性界面と非極性界面の理論 : SiC中粒界の分析
- 30p-K-13 Si中のねじり粒界の原子配列と電子構造II
- 24a-T-11 Si中のねじり粒界の原子配列と電子構造
- 3a-Z-4 Transferable TB法によるSi中ねじり粒界の電子構造計算
- 3a-Z-3 SiC中の結晶粒界の原子構造と電子構造 IV
- 二硼化ジルコニウムのホットプレス焼結クロムおよびニッケル添加の影響
- ジルコニア-アルミナウイスカー系複合セラミックスの機械的性質
- スピネル-炭化ケイ素ウイスカー複合体の機械的性質
- アルミナ-窒化ケイ素ウイスカー複合体の焼結と諸特性
- ムライト-β型窒化ケイ素ウイスカー複合体の機械的特性
- B_4C-SiCウイスカー系複合セラミックスの機械的特性
- 長時間K_2SO_4に浸漬されたMgOの物理的, 化学的性質の変化
- 2a-F-6 SiC中の結晶粒界の原子構造と電子構造 III
- マグネシアのホットプレス中の緻密化
- アルミナのホットプレス中の緻密化 : いろいろな速度式による取扱い
- ZrO_2-CeO_2系のホットプレス焼結と電気伝導度
- ZrB_2-MoSi_2系のホットプレス焼結
- ZrB_2焼結体の粒子成長について
- ZrB_2-LaB_6系のホットプレス焼結
- ZrC-Ni系ホットプレス成形
- ZrC-Ni系の焼結
- 硼化ジルコニウム焼結体の高温荷重変形
- 硼化チタン-金属系のホットプレス成形
- ホットプレス成形アルミナの誘電特性
- 硼化チタンのホットプレス成形
- 長時間熔融K_2SO_4に浸漬されたAl_2O_3の物理的科学的性質の変化