長谷川 修司 | 東大理

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概要

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• 井野 正三

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• 長谷川 修司

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• 長谷川 修司

  東大理

• 村上 修一

  東京工業大学大学院理工学研究科:東京工業大学大学院科学技術振興機構-さきがけ

• 伊藤 晋

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• 永井 康介

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• 大西 俊郎

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• 小林 伸彦

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• 三宅 隆

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• 村上 修一

  東大理

• 小林 伸彦

  筑波大学物理工学系

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著作論文

• 1a-H-2 Si(111)面上に吸着させたAg原子熱脱離過程のイオン励起 : TRAXS(total reflection angle x-ray spectroscopy)による測定
• 1a-H-1 清浄および金属吸着Si(111)表面構造の相転移
• 30p-G-7 低温でRHEEDによるSi(111)面上の金属の成長

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