松中 大介 | 阪大工
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概要
関連著者
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松中 大介
阪大工
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松中 大介
阪大院工
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Kasai Haruo
Department Of Electronics Chiba University
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渋谷 陽二
大阪大学工学研究科教授
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渋谷 陽二
阪大工
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中西 寛
阪大工
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笠井 秀明
阪大工
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渋谷 陽二
大阪大
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渋谷 陽二
日本骨膜下インプラント研究会
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渋谷 陽二
Department Of Mechanical Engineering Osaka University
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Dino Wilson
阪大工
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岸 智弥
阪大工
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岸 智弥
大阪大学大学院工学研究科
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笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理専攻
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松中 大介
大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター
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笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科
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尾方 成信
大阪大学大学院基礎工学研究科
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DINO Wilson
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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中西 寛
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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箕作 真鑑
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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箕作 真鑑
阪大工
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渋谷 陽三
大阪大学大学院工学研究機械システム工学専攻
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藤並 明徳
大阪大学大学院工学研究科創造工学センター
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松中 大介
阪大・院
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鈴木 健司
阪大工
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興地 斐男
和歌山高専
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尾方 成信
阪大工
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藤並 明徳
阪大工
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渋谷 陽二
阪大院
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鈴木 健司
東大
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渋谷 陽二
阪大・工学研究科・機械システム
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山本 昌裕
阪大
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岸 智弥
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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澤田 真人
阪大
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伊藤 高嗣
阪大
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譯田 真人
阪大院
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山本 昌裕
松下電器
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土井 嘉治
阪大院工
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中西 寛
大阪大学大学院工学研究科
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松中 大介
阪大
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渋谷 陽二
阪大
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渋谷 陽二
大阪大学大学院工学研究科機械工学専攻
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金 有洙
理研
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川合 真紀
東大工:東大新領域:理研
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川合 眞紀
東大新領域:理研
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塚原 規志
東大新領域
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高木 紀明
東大新領域
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金 有洙
理化学研究所
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南谷 英美
阪大院工
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Dino Wilson
阪大院理
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笠井 秀明
阪大院工
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金 有洙
理化学研究所表面化学研究室
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尾方 成信
阪大院
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土井 嘉治
大阪大学大学院
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渋谷 陽二
阪大・院
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王 金江
阪大・院
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鈴木 健司
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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RAHMAN M.
大阪大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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Dino Wilson
テラサール大理
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Dino Wilson
JST
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Dino Wilson
阪大工:阪大理:阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構:dlsu理
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Dino Wilson
大阪大学大学院理学研究科
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Dino W
大阪大 大学院工学研究科
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高木 紀明
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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金 有洙
独立行政法人理化学研究所基幹研究所
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笠井 秀明
Osaka Univ. Osaka Jpn
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Dino Wilson
大阪大学 ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
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塚原 規志
東京大学 大学院新領域創成科学研究科
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藤並 明徳
阪大院
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三輪 邦之
阪大院工
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塚原 規志
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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Kasai Hideaki
Dep. Of Prec. Sci. & Tech. And App. Phys. Osaka Univ.
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譯田 真人
阪大・院
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渋谷 陽二
大阪大学大学院工学研究科
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有吉 秀穂
松下電器
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加納 明
阪大院
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伊藤 高嗣
阪大院
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譯田 真人
岩大
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南谷 英美
理所基幹研
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金 有洙
理所基幹研
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尾方 成信
Dep. Of Mechanical Sci. And Bioengineering Graduate School Of Engineering Sci. Osaka Univ.
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川合 眞紀
東大新領域
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川合 真紀
東京大学工学部応用化学科:東京大学新領域創成科学研究科
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加納 明
阪大工
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大西 恭彰
阪大工
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渋谷 陽二
大阪大学大学院
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高木 紀明
東大工:東大新領域
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斐地 興男
和歌山高専
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金 有洗
理研
著作論文
- エピタキシャル成長における基板のひずみの効果に関する解析
- 22pPSB-6 Ge/Si(001)エピタキシャル成長のKMCシミュレーション(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aXJ-10 第一原理計算による金属/MgO界面の電子状態(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 604 Cleavage Properties of Crack Introduced in Silicon by TB-MD Hybrid Modeling
- Si(001)表面上のFe吸着原子の構造と磁性
- Ni(111)表面に吸着した鉄ナノワイヤー内包カーボンナノチューブの磁性
- 希薄磁性半導体の電子状態と強磁性に関する動的クラスター近似を用いた解析
- 24aZC-3 希薄磁性半導体の動的クラスター近似を用いた解析(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14aXD-10 磁性原子ナノワイヤー内包単層カーボンナノチューブの磁性(表面・界面磁性, 領域 3)
- 14aXD-10 磁性原子ナノワイヤー内包単層カーボンナノチューブの磁性(表面・界面磁性, 領域 9)
- 13aXG-3 Si(001) 表面上の Fe ナノワイヤーの磁性 II(表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象, 領域 9)
- 12aYC-3 希薄磁性半導体に関する動的クラスター近似を用いた理論的研究(磁性半導体, 領域 4)
- 銅酸化物高温超伝導体における不純物効果に関する理論的研究
- 30pWP-8 Fe内包単層カーボンナノチューブの安定構造および磁性(ナノチューブ・ナノワイヤ)(領域9)
- 27pPSA-51 Si(001)表面上のFeナノワイヤーの磁性(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 28aXA-6 d-p模型における不純物の単一サイト近似(銅酸化物超伝導理論)(領域8)
- 20aPS-15 酸化物半導体における不純物及び酸素欠損の効果
- 22aPS-4 FLEX と CPA を用いた不純物による超伝導転移温度低下の解析
- 31pWH-12 d-p 模型における不純物効果の CPA と FLEX を用いた解析
- 20aRH-10 銅酸化物の電子状態における置換不純物の効果
- 29pPSA-14 銅酸化物の電子状態における不純物の効果
- 20aPS-51 第一原理計算による自己組織化量子ドットに関する理論的研究(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 267 有機高分子基材上の金属蒸着膜に関する原子論的解析(製膜・膜特性,OSO7 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価)
- 1404 引張り変形下でのIV族半導体中の磁性不純物の拡散に関する第一原理解析(OS-14A 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価(第一原理計算),OS-14 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価)
- 24aPS-89 非磁性金属表面上の磁性原子格子系における電子相関効果(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 307 過冷却状態における2元系アモルファス金属の非平衡特性(OS-3 アモルファス)
- 207 Kinetic Monte Carlo法によるヘテロエピタキシャル薄膜成長のモデリング(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2),オーガナイズドセッション)
- 1001 第一原理計算を用いた粒界と転位の相互作用に関するエネルギー論的検討(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション講演)
- 1031 第一原理計算を用いた貴金属表面上でのNOの触媒反応に関する解析(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(7:物性評価),オーガナイズドセッション)
- 225 高分子材料のぬれ・撥水特性に及ぼす分子構造の影響(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(7),オーガナイズドセッション)
- 205 金属/酸化物界面における酸素欠損の効果に関する第一原理解析(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2),オーガナイズドセッション)
- 807 薄膜創製デザインにおけるコンピュテーショナルテクノロジー戦略(産学連携ポスターセッション)
- 634 金属/酸化物界面の電子状態に関する第一原理計算(OS11-1 電子・原子レベルのマルチシミュレーションとその応用,OS11 電子・原子レベルのマルチシミュレーションとその応用)
- 23pPSB-26 Au(111)表面上の鉄フタロシアニン分子における近藤効果の吸着サイト依存性(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 217 過冷却状態におけるアモルファス金属の原子論的な局所構造と緩和特性の関係(GS-1 計算力学(1))
- 215 KMC法を用いたエピタキシャル成長における基板のひずみの効果に関する解析(GS-1 計算力学(1))
- 25aCD-1 第一原理計算によるMgの変形双晶および界面転位における不純物の効果(25aCD 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 6pPSA-3 非磁性不純物によって乱れたCuO2面の磁気的性質(高温超伝導,領域8)