田口 真也 | 山陽電研（株）設計部
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概要
論文 | ランダム
- 20pHT-4 SiC多形結晶の電子照射誘起構造変化に及ぼす電子励起効果と弾き出し効果(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-6 超平坦化加工した4H-SiC(0001)表面上のグラフェン(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGQ-5 SiC(0001)表面のサイト選択的光電子回折による構造解析(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-27 4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-21 二次元光電子分光法による6H-SiC(0001)表面上酸窒化膜の原子構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))