萩野 直人 | 近畿大学工業高等専門学校
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概要
近畿大学工業高等専門学校 | 論文
- 0.18μm SOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの横型統合CBiCMOSバッファ回路(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 高耐圧1.2-μmCMOSプロセスを用いた超高速ビデオカメラ用CCD電源チップの設計(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- CCDクロック当り最大5nFの負荷容量を駆動する横型統合CBiCMOSバッファ回路(信号処理,LSI,及び一般)
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発
- 半導体シミュレーション : 歴史と将来の課題