横山 睦正 | NPO 環境技術支援ネットワーク
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概要
論文 | ランダム
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD-2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- 臨牀経験 自作複合メッシュで修復した傍人工肛門ヘルニアの1例