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水野 泰輔 | 株式会社SUMCO
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株式会社SUMCO | 論文
次世代ひずみSi-SGOIウエーハの微細組織観察
水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
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