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中田 健介 | 株式会社日立製作所デバイス開発センタ
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株式会社日立製作所デバイス開発センタ | 論文
分子線サンプリング法を用いた化学蒸着反応機構解析装置の開発(第二報)
W-CVDの優先成長を利用した全面バリアメタル被覆Cu配線( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
2.5Gbit/s光伝送用タイミング抽出・識別再生IC
2.5Gbit/s光伝送用2R IC
B-10-38 ギガビット PON 用光モジュールの開発
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