北村 和大 | 富士通クオリティ・ラボ株式会社
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概要
富士通クオリティ・ラボ株式会社 | 論文
- 2309 ソフトウェアの複雑性評価におけるPM的考察(一般セッション)
- Sub-30nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- Sub-30nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 環境調和時代に向けた新しい実装材料技術(高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)