大久保 奈央 | 国立病院機構東京医療センター臨床検査科

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概要

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論文 | ランダム

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• A Novel Power MOSFET Structure with Shallow Junction Dual Well Design(Compound Semiconductor and Power Devices,Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices)
• High Current, High Power, and High Linearity Ohmic Recess InGaP/InGaAs Doped Channel FETs(Session 7B Compound Semiconductor Devices III,AWAD2006)
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