Ahmed M. | National Water Research Center, Egypt
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概要
論文 | ランダム
- 極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
- 極微細MOSFETの量子デバイスシミュレーション
- 半導体 2-II-14 Lanczos法を用いた大規模行列固有値計算--歪量子ドットの電子状態の有限要素法による解析 (日本シミュレーション学会 第20回計算電気・電子工学シンポジウム(1999年11月25日,26日)) -- (第2日目 平成11年11月26日(金))
- Nonequilibrium Quantum Transport of a Semiconductor Quantum Dot Controlled by Gate Voltage
- 31a-R-12 (775)B GaAs 基板上にMBE成長した自己形成型高密度 GaAs 量子細線の光学的特性