遠藤 公誉 | NTTアドバンストテクノロジ

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概要

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NTTアドバンストテクノロジ | 論文

• InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
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• 30p-K-13 Ni/C多層薄膜標的による準単色共鳴遷移放射X線の発生実験
• 高精度電子ビーム描画装置によるX線マスク描画特性

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