Kim Jin-Won | Process Development Team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd.,<BR> San#24, Nongseo-Ri, Kiheung-Eup, Yongin-City, Kyungki-Do, Korea
スポンサーリンク
概要
- Kim Jin-Wonの詳細を見る
- 同名の論文著者
- Process Development Team, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd.,<BR> San#24, Nongseo-Ri, Kiheung-Eup, Yongin-City, Kyungki-Do, Koreaの論文著者
論文 | ランダム
- 制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 30a-K-5 (p, t)反応による原子核の芯の研究
- 大河内正敏先生の思い出
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 超高濃度BドープSi/GeB超格子構造の作製と熱電特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))