大西 俊一 | 松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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概要
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター | 論文
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード
- C-10-16 擬似スーパージャンクション構造によるGaN縦型ショットキーバリアダイオードの高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)