Saito Masayuki | Technical Department,Tanaka Kikinzoku Kogyo KK, 2-73 Shinmachi, Hiratsuka, Kanagawa 254-0076, Japan
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概要
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論文 | ランダム
- 24pWB-6 シアン化物溶液中での電気化学酸化法によるシリコンオキシナイトライド膜の低温創製(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-130 シリコンの低温化学酸化によるSiO_2厚膜の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15pXG-6 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (2) : 銅洗浄機構(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15pXG-5 非エッチングシリコン洗浄液を用いたシリコン表面の重金属除去 (1) : 銅とニッケル(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 20aPS-14 化学的手法による SiO_2/Si 構造の低温形成と分光学的観測