石田 康弘 | 福岡工技セ
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概要
福岡工技セ | 論文
- 2H05 基板上エージングプロセスによる結晶性 BaTiO_3 薄膜の室温合成
- 104 nMOSFETにおける応力効果を考慮した3次元デバイスシミュレーション(OS01.電子デバイス・電子材料と計算力学(1))
- 624 応力に起因したnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(フリップチップ,基板,電気特性,等,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
- 4330 樹脂封止されたMOSFETの残留応力に起因した電気特性変動の評価(J05-3 実装信頼性,J05 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- 206 樹脂封止されたデバイスの残留応力に起因した特性変動評価(OS-2B,OS-2 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)