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福田 克己 | 東京工専
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東京工専 | 論文
3a-A3-4 RFマグネトロンスパッタリング法によるSiC薄膜の熱的性質
3a-A3-3 SiC薄膜の電気的特性への不純物および粒界の影響
イオンビームアシスト蒸着法によるGe薄膜の特性
ダブルプローブ法による高周波イオンプレーティング装置のプラズマ密度測定
金属クラスタイオン源の応用
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