Kratzer Peter | Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin-Dahlem, Germany
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概要
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- Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin-Dahlem, Germanyの論文著者
論文 | ランダム
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- C-10-9 2次元デバイスシミュレーションによるAlGaN/GaN HEMTの高周波特性予測
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