金桶 光起 | <I>Niigata Prefectural Sake Research Institute</I>

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概要

• 中西 利公の詳細を見る
• 同名の論文著者
• <I>Niigata Prefectural Sake Research Institute</I>の論文著者

論文 | ランダム

• HfO_2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 結晶工学分科会, シリコンテクノロジー分科会共同企画 : 超高速・低消費電力トランジスタを実現する結晶材料・プロセス・デバイス技術
• HfO_2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定 : 分子動力学シミュレーション(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• Si/SiO_2界面の窒素によるトラップレベルの発生(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 半導体A(シリコン)

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