市川 達也 | ソニー(株)
スポンサーリンク
概要
ソニー(株) | 論文
- ダマシンゲートプロセスを用いた Top-Cut デュアルストレスライナーを有する高性能 Metal/High-k Gate MOSFETs
- ダマシンゲートプロセスを用いたtop-cutデュアルストレスライナーを有する高性能Metal/High-k Gate MOSFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- [100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有する Metal/High-k ゲート電極MOSFETs
- (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))