Onodera Toshio | Yokohama Research Center, Association of Super–Advanced Electronics Technologies, 292 Yoshida–cho, Totsuka–ku, Yokohama, Kanagawa 244, Japan
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概要
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論文 | ランダム
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- Thick and Smooth Hexagonal GaN Growth on GaAs (111) Substrates at 1000℃ with Halide Vapor Phase Epitaxy