GaNの選択成長及び横方向成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
減圧MOVPE法及び常圧HVPE法でWマスクを用いたGaNの選択成長及び横方向成長(ELO)を行った。MOVPE法による成長では2段階のELOを行うことにより、Wの埋め込み構造を実現できた。また、HVPE法により成長させたELO GaNの結晶性と光学的特性をX線回折とカソードルミネッセンス(CL)により評価したところ、c軸の揺らぎが小さく、均一な束縛励起子発光が得られた。このことからWマスクを用いたELO GaNはSiO_2マスクを用いたELO GaNと比較して、結晶性が優れていることが明らかになった。
- 1999-10-22
論文 | ランダム
- 二ケイ化モリブデン及びフェロシリコン中のケイ素の電位差滴定法のためのフッ化物イオン選択性電極の利用
- ___- L.の種子発芽におよぼす温度およびその他の要因の影響
- 60. 筑後川およびその支川におけるホテイアオイの分布
- 本邦の噴騰泉について
- 36. ベンチオカーブ処理によるイネ科一年生雑草幼植物の内部形態の変化