GaNの選択成長及び横方向成長
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概要
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減圧MOVPE法及び常圧HVPE法でWマスクを用いたGaNの選択成長及び横方向成長(ELO)を行った。MOVPE法による成長では2段階のELOを行うことにより、Wの埋め込み構造を実現できた。また、HVPE法により成長させたELO GaNの結晶性と光学的特性をX線回折とカソードルミネッセンス(CL)により評価したところ、c軸の揺らぎが小さく、均一な束縛励起子発光が得られた。このことからWマスクを用いたELO GaNはSiO_2マスクを用いたELO GaNと比較して、結晶性が優れていることが明らかになった。
- 1999-10-22
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