中村 孝 | ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター

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概要

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ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター | 論文

• SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 : 低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

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