渡邊 育夢 | 物質材料研究機構(NIMS)
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概要
物質材料研究機構(NIMS) | 論文
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 28aRC-11 簡略化されたTC-VMC法による多体波動関数の最適化と拡散モンテカルロ法への応用(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 29pPSA-18 トランスコリレイティッド法による固体の電子状態計算(領域11ポスターセッション)
- 新しい第一原理電子状態計算手法トランスコリレイティッド法 (
- 31aPS-17 Transcorrelated 法による多成分量子系の取り扱い