田中 康弘 | パナソニック ＡＶＣネットワークス社 ＡＶＣデバイス開発センター
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概要
論文 | ランダム
- Defects in Ga^+ Jon Implanted GaAs-AlAs MQW Structures
- Near Room Temperature CW Operation of 660 nun Visible AlGaAs Multi-Quantum-Well Laser Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy
- Ion-Species Dependence of Interdiffusion in Ion-Implanted GaAs-AlAs Superlattices
- Comparison between GaAs and Al_xGa_As Quantum Wells in the Light Emission Limit
- Room Temperature Operation of 650 nm AlGaAs Multi-Quantum-Well Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy