WILLIAMS T. | Roche Research Center, Hoffmann-La Roche Inc.
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概要
論文 | ランダム
- シリコン熱酸化過程における応力解析
- 高誘電体ゲート絶縁膜/Si基板界面改質によるトランジスタ特性と絶縁膜長期信頼性の改善
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 表面に浅溝構造を有するシリコン基板の選択酸化後残留応力評価
- キャリア分離法を用いた high-k stack ゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析