廣瀬 一樹 | 電通大
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概要
電通大 | 論文
- ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-21 ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 自動バイアス制御ダイオードリニアライザを用いたF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ改善
- C-2-31 バイアス独立制御型2ダイオードリニアライザによるF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- フラクタル解析とELF帯電磁波動を用いたアフリカ大規模落雷特性に関する研究