角田 陽 | 東京工専

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概要

• 同名の論文著者
• 東京工専の論文著者

東京工専 | 論文

• 3a-A3-4 RFマグネトロンスパッタリング法によるSiC薄膜の熱的性質
• 3a-A3-3 SiC薄膜の電気的特性への不純物および粒界の影響
• イオンビームアシスト蒸着法によるGe薄膜の特性
• ダブルプローブ法による高周波イオンプレーティング装置のプラズマ密度測定
• 金属クラスタイオン源の応用

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