中井 裕夫 | 東京工業大学印写工学研究施設

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論文 | ランダム

• 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドの CVD 成長過程のその場観察 : 薄膜
• 単一ソース(MTS)による3C-SiCのCVD成長 : 無機結晶II
• 熱重量法によるCVD過程の研究 (III) : 無機結晶II
• 熱重量法によるCVD過程の研究(II) : 気相成長III
• 27aC2 熱重量法によるCVD過程の研究(1)(気相成長I)

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