川口 雅之 | 大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所の論文著者

大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所 | 論文

• ZnSeの減圧OMVPEによる成長と特性評価 : VI/II原料供給比の影響
• ヨウ素輸送法によるIII-V族混晶のバルク結晶成長 : 気相成長
• 3W24 液晶を用いた赤外・可視像変換に関する基礎特性
• 規則,不規則半導体による発光性能の向上
• InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)

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